இணைந்த குவார்ட்ஸ்

Si மற்றும் FeSi உற்பத்தியில், முக்கிய Si மூலமானது குவார்ட்ஸ் வடிவில் SiO2 ஆகும். SiO2 உடனான எதிர்வினைகள் SiO வாயுவை உருவாக்குகின்றன, அது SiC உடன் Si உடன் மேலும் வினைபுரிகிறது. சூடாக்கும்போது, ​​குவார்ட்ஸ் மற்ற SiO2 மாற்றங்களுக்கு கிறிஸ்டோபலைட்டுடன் நிலையான உயர்-வெப்பநிலை கட்டமாக மாறும். கிறிஸ்டோபலைட்டாக மாறுவது மெதுவான செயலாகும். அதன் விகிதம் பல தொழில்துறை குவார்ட்ஸ் ஆதாரங்களுக்காக ஆராயப்பட்டது மற்றும் வெவ்வேறு குவார்ட்ஸ் வகைகளில் கணிசமாக வேறுபடுவதாகக் காட்டப்பட்டுள்ளது. இந்த குவார்ட்ஸ் மூலங்களுக்கிடையே வெப்பமாக்கலின் போது நடத்தையில் உள்ள மற்ற வேறுபாடுகள், அதாவது மென்மையாக்கும் வெப்பநிலை மற்றும் தொகுதி விரிவாக்கம் போன்றவையும் ஆய்வு செய்யப்பட்டுள்ளன. குவார்ட்ஸ்-கிரிஸ்டோபலைட் விகிதம் SiO2 சம்பந்தப்பட்ட வினைகளின் வீதத்தை பாதிக்கும். குவார்ட்ஸ் வகைகளுக்கு இடையே காணப்பட்ட வேறுபாட்டின் தொழில்துறை விளைவுகள் மற்றும் பிற தாக்கங்கள் விவாதிக்கப்படுகின்றன. தற்போதைய வேலையில், ஒரு புதிய சோதனை முறை உருவாக்கப்பட்டுள்ளது, மேலும் பல புதிய குவார்ட்ஸ் மூலங்களின் விசாரணையானது பல்வேறு ஆதாரங்களுக்கிடையில் முன்னர் காணப்பட்ட பெரிய மாறுபாட்டை உறுதிப்படுத்தியுள்ளது. தரவின் மறுநிகழ்வு ஆய்வு செய்யப்பட்டு வாயு வளிமண்டலத்தின் விளைவு ஆராயப்பட்டது. முந்தைய வேலையின் முடிவுகள் விவாதத்திற்கான அடிப்படையாக சேர்க்கப்பட்டுள்ளன.

உருகிய குவார்ட்ஸ் சிறந்த வெப்ப மற்றும் இரசாயன பண்புகளை உருகுவதில் இருந்து ஒற்றை படிக வளர்ச்சிக்கான பொருளாக உள்ளது, மேலும் அதன் உயர் தூய்மை மற்றும் குறைந்த விலை உயர் தூய்மை படிகங்களின் வளர்ச்சிக்கு குறிப்பாக கவர்ச்சிகரமானதாக அமைகிறது. இருப்பினும், சில வகையான படிகங்களின் வளர்ச்சியில், உருகுவதற்கும் குவார்ட்ஸ் க்ரூசிபிலுக்கும் இடையில் பைரோலிடிக் கார்பன் பூச்சு ஒரு அடுக்கு தேவைப்படுகிறது. இந்த கட்டுரையில், வெற்றிட நீராவி போக்குவரத்து மூலம் பைரோலிடிக் கார்பன் பூச்சு பயன்படுத்துவதற்கான ஒரு முறையை நாங்கள் விவரிக்கிறோம். இந்த முறையானது பரந்த அளவிலான க்ரூசிபிள் அளவுகள் மற்றும் வடிவங்களில் ஒப்பீட்டளவில் சீரான பூச்சுகளை வழங்குவதில் பயனுள்ளதாக இருக்கும். இதன் விளைவாக பைரோலிடிக் கார்பன் பூச்சு ஆப்டிகல் அட்டென்யூவேஷன் அளவீடுகளால் வகைப்படுத்தப்படுகிறது. ஒவ்வொரு பூச்சு செயல்பாட்டிலும், பைரோலிசிஸின் கால அளவு அதிகரிக்கும் போது பூச்சுகளின் தடிமன் ஒரு அதிவேக வால் கொண்ட முனைய மதிப்பை அணுகுவதாகக் காட்டப்படுகிறது, மேலும் சராசரி தடிமன் பைரோலிட்டிக் மேற்பரப்புக்கு கிடைக்கக்கூடிய ஹெக்ஸேன் நீராவியின் அளவின் விகிதத்துடன் தோராயமாக நேர்கோட்டில் அதிகரிக்கிறது. பூச்சு. இந்த செயல்முறையால் பூசப்பட்ட குவார்ட்ஸ் சிலுவைகள் 2-விட்டம் கொண்ட Nal ஒற்றை படிகங்கள் வரை வெற்றிகரமாக வளர பயன்படுத்தப்படுகின்றன, மேலும் பூச்சுகளின் தடிமன் அதிகரிக்கும் போது Nal படிகத்தின் மேற்பரப்பு தரம் மேம்படுகிறது.