फ्यूज्ड क्वार्ट्ज

Si आणि FeSi उत्पादनात, मुख्य Si स्रोत SiO2 आहे, क्वार्ट्जच्या स्वरूपात. SiO2 सह अभिक्रिया SiO वायू निर्माण करतात जी पुढे SiC ते Si शी प्रतिक्रिया देतात. हीटिंग दरम्यान, क्वार्ट्ज स्थिर उच्च-तापमान टप्पा म्हणून क्रिस्टोबलाइटसह इतर SiO2 बदलांमध्ये बदलेल. क्रिस्टोबलाइटमध्ये परिवर्तन ही एक संथ प्रक्रिया आहे. त्याचा दर अनेक औद्योगिक क्वार्ट्ज स्त्रोतांसाठी तपासला गेला आहे आणि वेगवेगळ्या क्वार्ट्ज प्रकारांमध्ये लक्षणीय फरक असल्याचे दर्शविले गेले आहे. या क्वार्ट्ज स्त्रोतांमधील गरम दरम्यानच्या वागणुकीतील इतर फरक, जसे की मऊ तापमान आणि व्हॉल्यूम विस्तार, देखील अभ्यासले गेले आहेत. क्वार्ट्ज-क्रिस्टोबलाइट गुणोत्तर SiO2 चा समावेश असलेल्या प्रतिक्रियांच्या दरावर परिणाम करेल. औद्योगिक परिणाम आणि क्वार्ट्ज प्रकारांमधील फरक लक्षात घेतलेल्या इतर परिणामांवर चर्चा केली आहे. सध्याच्या कामात, एक नवीन प्रायोगिक पद्धत विकसित केली गेली आहे, आणि अनेक नवीन क्वार्ट्ज स्त्रोतांच्या तपासणीने वेगवेगळ्या स्त्रोतांमधील पूर्वीच्या मोठ्या फरकाची पुष्टी केली आहे. डेटाच्या पुनरावृत्तीक्षमतेचा अभ्यास केला गेला आहे आणि वायू वातावरणाचा प्रभाव तपासला गेला आहे. आधीच्या कामाचे परिणाम चर्चेसाठी आधार म्हणून समाविष्ट केले आहेत.

फ्यूज्ड क्वार्ट्जमध्ये वितळण्यापासून एकल क्रिस्टलच्या वाढीसाठी क्रूसिबल सामग्री म्हणून उत्कृष्ट थर्मल आणि रासायनिक गुणधर्म आहेत आणि त्याची उच्च शुद्धता आणि कमी किंमत उच्च-शुद्धतेच्या क्रिस्टल्सच्या वाढीसाठी विशेषतः आकर्षक बनवते. तथापि, विशिष्ट प्रकारच्या क्रिस्टल्सच्या वाढीमध्ये, वितळणे आणि क्वार्ट्ज क्रूसिबल दरम्यान पायरोलाइटिक कार्बन लेपचा एक थर आवश्यक आहे. या लेखात, आम्ही व्हॅक्यूम वाष्प वाहतुकीद्वारे पायरोलाइटिक कार्बन कोटिंग लागू करण्याच्या पद्धतीचे वर्णन करतो. क्रुसिबल आकार आणि आकारांच्या विस्तृत श्रेणीवर तुलनेने एकसमान कोटिंग मिळविण्यासाठी ही पद्धत प्रभावी असल्याचे दिसून आले आहे. परिणामी पायरोलाइटिक कार्बन कोटिंग ऑप्टिकल क्षीणन मापनाद्वारे वैशिष्ट्यीकृत आहे. प्रत्येक कोटिंग प्रक्रियेत, कोटिंगची जाडी घातांकीय शेपटीसह टर्मिनल मूल्याशी संपर्क साधताना दर्शविली जाते कारण पायरोलिसिसचा कालावधी वाढतो आणि सरासरी जाडी साधारणपणे पायरोलिटिकच्या पृष्ठभागाच्या उपलब्ध हेक्सेन बाष्पाच्या प्रमाणानुसार रेषीय वाढते. कोटिंग या प्रक्रियेद्वारे लेपित क्वार्ट्ज क्रुसिबल्सचा वापर 2-इन-व्यास Nal सिंगल क्रिस्टल्सपर्यंत यशस्वीरित्या वाढण्यासाठी केला गेला आहे आणि कोटिंगची जाडी वाढल्यामुळे नल क्रिस्टलच्या पृष्ठभागाची गुणवत्ता सुधारली आहे.