Black Silicon Carbide គឺស័ក្តិសមសម្រាប់កម្មវិធី Refractory និងកិន

Black Silicon Carbide ត្រូវបានផលិតដោយការលាយបញ្ចូលគ្នានៃខ្សាច់ Quartz, anthracite និង silica ដែលមានគុណភាពខ្ពស់នៅក្នុងចង្រ្កានធន់នឹងអគ្គិសនី។ ប្លុក SiC ដែលមានរចនាសម្ព័ន្ធគ្រីស្តាល់តូចបំផុតនៅជិតស្នូលត្រូវបានជ្រើសរើសដោយប្រុងប្រយ័ត្នជាវត្ថុធាតុដើម។ តាមរយៈការលាងទឹកអាស៊ីត និងទឹកល្អឥតខ្ចោះបន្ទាប់ពីកំទេច មាតិកាកាបូនបានកាត់បន្ថយទៅអប្បបរមា ហើយបន្ទាប់មកគ្រីស្តាល់សុទ្ធភ្លឺចាំងត្រូវបានទទួល។ វាមានភាពផុយ និងស្រួច និងមានចរន្តជាក់លាក់ និងចរន្តកំដៅ។

វាមានលក្ខណៈសម្បត្តិគីមីមានស្ថេរភាព មេគុណចរន្តខ្ពស់ មេគុណទាបនៃការពង្រីកកម្ដៅ និងធន់នឹងការពាក់ដ៏ល្អ ហើយស័ក្តិសមសម្រាប់កម្មវិធីកែច្នៃ និងកិន។