შერწყმული კვარცი

Si და FeSi წარმოებაში, Si ძირითადი წყაროა SiO2, კვარცის სახით. SiO2-თან რეაქციები წარმოქმნის SiO გაზს, რომელიც შემდგომში რეაგირებს SiC-თან Si-მდე. გათბობის დროს კვარცი გარდაიქმნება სხვა SiO2 მოდიფიკაციებად კრისტობალიტით, როგორც სტაბილური მაღალი ტემპერატურის ფაზა. კრისტობალიტად ტრანსფორმაცია ნელი პროცესია. მისი სიჩქარე გამოკვლეულია რამდენიმე სამრეწველო კვარცის წყაროსთვის და ნაჩვენებია, რომ მნიშვნელოვნად განსხვავდება კვარცის სხვადასხვა ტიპებს შორის. ასევე შესწავლილია ქცევის სხვა განსხვავებები ამ კვარცის წყაროებს შორის გათბობის დროს, როგორიცაა დარბილების ტემპერატურა და მოცულობის გაფართოება. კვარც-კრისტობალიტის თანაფარდობა გავლენას მოახდენს რეაქციების სიჩქარეზე, რომელიც მოიცავს SiO2. განხილულია კვარცის ტიპებს შორის დაკვირვებული განსხვავების სამრეწველო შედეგები და სხვა შედეგები. მიმდინარე ნაშრომში შემუშავდა ახალი ექსპერიმენტული მეთოდი და რამდენიმე ახალი კვარცის წყაროს გამოკვლევამ დაადასტურა ადრე დაფიქსირებული დიდი ცვალებადობა სხვადასხვა წყაროებს შორის. შესწავლილია მონაცემების განმეორებადობა და გამოკვლეულია გაზის ატმოსფეროს ეფექტი. დისკუსიის საფუძველია წინა ნამუშევრის შედეგები.

შერწყმული კვარცს აქვს შესანიშნავი თერმული და ქიმიური თვისებები, როგორც ჯვარედინი მასალა დნობისგან ერთკრისტალური ზრდისთვის, და მისი მაღალი სისუფთავე და დაბალი ღირებულება მას განსაკუთრებით მიმზიდველს ხდის მაღალი სისუფთავის კრისტალების ზრდისთვის. თუმცა, გარკვეული ტიპის კრისტალების ზრდისას საჭიროა პიროლიზური ნახშირბადის საფარის ფენა დნობასა და კვარცის ჭურჭელს შორის. ამ სტატიაში ჩვენ აღვწერთ პიროლიზური ნახშირბადის საფარის გამოყენების მეთოდს ვაკუუმური ორთქლის ტრანსპორტირებით. ნაჩვენებია, რომ მეთოდი ეფექტურია შედარებით ერთგვაროვანი საფარის მისაღებად ჭურჭლის ზომისა და ფორმის ფართო სპექტრზე. შედეგად მიღებული პიროლიტური ნახშირბადის საფარი ხასიათდება ოპტიკური შესუსტების გაზომვებით. ყოველი დაფარვის პროცესში, ნაჩვენებია, რომ საფარის სისქე უახლოვდება ტერმინალურ მნიშვნელობას ექსპონენციალური კუდით, რადგან იზრდება პიროლიზის ხანგრძლივობა, ხოლო საშუალო სისქე უხეშად იზრდება ხაზობრივად ხელმისაწვდომი ჰექსანის ორთქლის მოცულობის თანაფარდობით პიროლიზის ზედაპირის ფართობთან. საფარი. ამ პროცესით დაფარული კვარცის ჭურჭელი გამოიყენებოდა 2 დიამეტრის ნალის ერთკრისტალების წარმატებით გასაშენებლად და აღმოჩნდა, რომ ნალის კრისტალის ზედაპირის ხარისხი გაუმჯობესდა საფარის სისქის მატებასთან ერთად.